Le principe de pulvérisation accélérée est similaire à celui du procédé de pulvérisation. Grâce à un arc à basse tension placé au centre de l'enceinte, la densité du plasma augmente fortement et provoque un degré d'ionisation beaucoup plus élevé.
1 Source du faisceau électronique 2 Argon 3 Gaz réactif 4 Source d'évaporation à magnétron (matériau à déposer) 5 Substrats
6 Arc à basse tension 7 Anode auxiliaire 8 Pompe à vide
